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簡(jiǎn)介特性應(yīng)用優(yōu)勢(shì) 目標(biāo)應(yīng)用

華太電子研發(fā)出650V和1200V超級(jí)結(jié)IGBT（SJ-IGBT）系列產(chǎn)品，超級(jí)結(jié)IGBT充分利用Super Junction結(jié)構(gòu)的物理優(yōu)勢(shì)，有效提升器件的正向?qū)ㄌ匦约伴_(kāi)關(guān)性能，推動(dòng)高性能電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
功率器件承壓能力與芯片漂移區(qū)厚度密切相關(guān)，一般設(shè)計(jì)中，均采用低摻雜、厚漂移區(qū)的結(jié)構(gòu)，以保證器件能夠符合目標(biāo)耐壓等級(jí)要求。由于超級(jí)結(jié)IGBT內(nèi)部具有更加平坦的電場(chǎng)分布，相較傳統(tǒng)FS-IGBT，SJ-IGBT可采用更薄的漂移區(qū)以滿足器件耐壓等級(jí)的要求。薄的漂移區(qū)有利于降低器件的通態(tài)壓降，從而實(shí)現(xiàn)降低IGBT通態(tài)損耗的目標(biāo)。此外，超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)使得IGBT在關(guān)斷過(guò)程中，加速過(guò)剩載流子空穴的抽離，從而有效降低IGBT開(kāi)關(guān)損耗。
目前，華太SJ-IGBT已在光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域開(kāi)始大批量使用，助力高效、高頻化的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

- 超低開(kāi)關(guān)損耗
- 超低靜態(tài)損耗
- 內(nèi)部集成SiC肖特基二極管(SBD)或FRD可選
- 最大結(jié)溫高達(dá)175℃
- 符合JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

- 提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率
- 降低系統(tǒng)散熱需求
- 提升系統(tǒng)功率密度
- 提高系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率

產(chǎn)品選型表

隱藏/顯示篩選器

重置

小貼士

命名規(guī)則

常見(jiàn)問(wèn)題

Q：SJIGBT的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在導(dǎo)通還是開(kāi)關(guān)，適用于哪些應(yīng)用，對(duì)于現(xiàn)有FSIGBT是替代關(guān)系還是補(bǔ)充關(guān)系?

A:SJ IGBT得益于器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，在導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)方面均有明顯優(yōu)勢(shì)，特別是適用于高頻應(yīng)用，如：光伏、儲(chǔ)能、充電樁等應(yīng)用場(chǎng)合。目前，SJ IGBT具有兩個(gè)系列（SHF系列和SHP系列），其中SHF系列主要是通過(guò)跟FS IGBT替代來(lái)打入市場(chǎng)，SHP系列產(chǎn)品可拓寬FSIGBT應(yīng)用范圍(補(bǔ)充關(guān)系)。

Q：華太I(xiàn)GBT產(chǎn)品和其他國(guó)產(chǎn)品牌對(duì)比在性能和價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)是什么?

A:開(kāi)關(guān)損耗較競(jìng)品小30%；劣勢(shì)：di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過(guò)大，需要外電路匹配產(chǎn)品具有很好的性價(jià)比，產(chǎn)品性能優(yōu)于國(guó)際頭部友商，價(jià)格與國(guó)內(nèi)IGBT基本持平。

Q：SJIGBT相對(duì)FSIGBT的優(yōu)缺點(diǎn)，需要提供相關(guān)的測(cè)試數(shù)據(jù)，特別是SJ相對(duì)比現(xiàn)在FS的缺點(diǎn)，有碰到哪些問(wèn)題？成本優(yōu)勢(shì)？供應(yīng)？還是技術(shù)還存在某些問(wèn)題？是否是制約當(dāng)前SJIGBT發(fā)展的重要因素。

A：開(kāi)關(guān)損耗較競(jìng)品小30%；劣勢(shì)：di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過(guò)大，需要外電路匹配。

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全部產(chǎn)品

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模擬IC系列產(chǎn)品

MCU系列產(chǎn)品

系統(tǒng)方案

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SJ-IGBT單管系列產(chǎn)品

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H8G1819M10P